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西電郝躍院士、張進(jìn)成教授、周弘教授團(tuán)隊(duì)：1.96?kV p-Cr?O?/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)二極管，理想因子1.07
該文章報道了一種具備千伏級擊穿電壓（BV）的 p-Cr2O3/n-Ga2O3 垂直異質(zhì)結(jié)二極管（HJD）。
2025-04-18 12:14:02
大連理工大學(xué)集成電路學(xué)院梁紅偉團(tuán)隊(duì)以APL精選論文形式發(fā)表OVPE外延Ga?O?厚膜及缺陷形成機(jī)理重要論文
OVPE 方式具有生長速度快（≥10μm/h），成膜質(zhì)量高并且設(shè)備成本低等優(yōu)勢
2025-04-18 12:03:42
日本NCT全球首發(fā)全氧化鎵基Planar SBD器件
日本株式會社 Novel Crystal Technology（NCT）公司正式宣布向全球合作客戶推出其創(chuàng)新的Planar SBD（肖特基勢壘二極管）器件。
2025-04-15 09:46:48
西安電子科技大學(xué)郝躍院士、馬曉華教授團(tuán)隊(duì)---探究 β-Ga?O? SBD 在正向電應(yīng)力下的退化機(jī)制
該研究從缺陷演變的角度探討了恒定正向電應(yīng)力對β-氧化鎵（β-Ga2O3）肖特基勢壘二極管（SBD）的影響。
2025-04-11 18:49:19
挪威奧斯陸大學(xué)、南方科技大學(xué)等：α-Ga?O?中隨機(jī)無序自發(fā)形成的原子級突變面及相變滑移行為研究
探索 α-Ga2O3 在輻照下是否發(fā)生無序誘導(dǎo)相變，揭示其與 β 相不同的相變機(jī)制，并解釋實(shí)驗(yàn)中觀察到的原子級陡峭 α/γ 界面自組織現(xiàn)象。
2025-04-11 16:35:56
